其实三星贴片电容的结构和材料特性都差不多，区别在于电容值和功率。接下来世祥集团小编来您你讲解三星贴片电容的结构和材料特性。

(1)三星贴片电容的结构:从下图可以看出，三星贴片电容主要由陶瓷介质、内电极、端电极sn焊接层、端电极ni势垒层和端电极底层组成。

三星贴片电容结构

(2)三星贴片电容材料特性:

I类介质电容器(NP0温度补偿型):

COG电气性能参数稳定，随温度、电压、时间的变化率很小，适合在谐振电路等稳定性要求高的高频电路中使用。采用特殊的结构设计可以获得较低的ESR。其高“Q”产品的Q值可达1000以上。

C0G—使用温度范围在-55~+125℃，容量变化范围为0±30ppm/℃。

1类瓷的EIA标志代码(-55℃～125℃)。

Ⅱ类介质电容器：

X7R(X5R)X7R是一种高K值的介质，可以生产大容量的电容器，适用于隔直,耦合,旁路的电路中(X5R:-55，85，C%±15%)。

Y5V:电气性能参数稳定性差，但可以生产更高容量的电容器。适用于去耦电路和滤波电路。

2类瓷的EIA标志代码

三星贴片电容

今天的分享就到这里了，希望能让您对三星贴片电容的结构与材料特性更加了解