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其实三星贴片电容的结构和材料特性都差不多,区别在于电容值和功率。接下来世祥集团小编来您你讲解三星贴片电容的结构和材料特性。
(1)三星贴片电容的结构:从下图可以看出,三星贴片电容主要由陶瓷介质、内电极、端电极sn焊接层、端电极ni势垒层和端电极底层组成。
三星贴片电容结构
(2)三星贴片电容材料特性:
I类介质电容器(NP0温度补偿型):
COG电气性能参数稳定,随温度、电压、时间的变化率很小,适合在谐振电路等稳定性要求高的高频电路中使用。采用特殊的结构设计可以获得较低的ESR。其高“Q”产品的Q值可达1000以上。
C0G—使用温度范围在-55~+125℃,容量变化范围为0±30ppm/℃。
1类瓷的EIA标志代码(-55℃~125℃)。
Ⅱ类介质电容器:
X7R(X5R)X7R是一种高K值的介质,可以生产大容量的电容器,适用于隔直,耦合,旁路的电路中(X5R:-55,85,C%±15%)。
Y5V:电气性能参数稳定性差,但可以生产更高容量的电容器。适用于去耦电路和滤波电路。
2类瓷的EIA标志代码
三星贴片电容
今天的分享就到这里了,希望能让您对三星贴片电容的结构与材料特性更加了解
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